➤ 01 栅极-源极输入电容与DS电压
对于 MOS管 往往存在较大的输入电容。这个电容随着DS的变化关系使得它可以当做一个可变电容来使用。
下面是IRF3710的数据手册的输入电容与DS电压之间的关系。
MOS： IRF3710
▲ 输入电容与DS电压之间的关系
那么实际电容变化情况是什么呢？
下面通过具实验来对其进行测试。
➤ 02测试方式
使用 LC100-A 电感和电容模块来读取电容的大小，并通过Zigbee串口发送到计算机。
通过DP1308可编程直流电源改变MOS的DS电压。
▲ 测量方式
▲ 在面包板上进行测量
➤ 03测量结果
1.测量数据
▲ 输入电容与DS电压
v
=[0.00,0.49,0.98,1.47,1.96,2.45,2.94,3.43,3.92,4.41,4.90,5.39,5.88,6.37,6.86,7.35,7.84,8.33,8.82,9.31,9.80,10.29,10.78,11.27,11.76,12.24,12.73,13.22,13.71,14.20,14.69,15.18,15.67,16.16,16.65,17.14,17.63,18.12,18.61,19.10,19.59,20.08,20.57,21.06,21.55,22.04,22.53,23.02,23.51,24.00]
c
=[4988.54,4991.57,4972.37,4976.27,4856.14,4656.86,4447.72,4227.49,4077.96,3984.07,3912.53,3851.84,3809.49,3808.47,3777.29,3732.29,3725.06,3697.68,3653.80,3623.16,3605.74,3577.25,3562.56,3535.04,3535.75,3522.67,3511.84,3511.14,3501.98,3505.00,3491.59,3479.84,3487.09,3467.69,3468.37,3460.48,3453.64,3452.85,3432.65,3435.37,3443.29,3427.34,3429.94,3424.29,3428.58,3426.55,3421.70,3425.08,3417.42,3422.82]
2.结果分析
通过上述测量结果可以看出，电容的变化并没有数据手册给定的那么明显。这就显的比较奇怪了。
3.测量程序
from headm
import *
from tsmodule
.tsvisa
import *
from tsmodule
.tshardware
import *
dp1308open
(110)
dp1308p25v
(0)
time
.sleep
(1)
setv
= linspace
(0, 24, 50)
cdim
= []
for v
in setv
:
dp1308p25v
(v
)
time
.sleep
(1)
while True:
str = zbcmdwait
(b
'lc100-a', 1, .1)
c
= int(str)/100
if c
>= 2000 and c
< 10000: break
cdim
.append
(c
)
printff
(v
, c
)
tspsave
('measure', v
=setv
, c
=cdim
)
dp1308p25v
(3)
plt
.plot
(setv
, cdim
)
plt
.xlabel
("Voltage(V)")
plt
.ylabel
("Capacitor(pF)")
plt
.grid
(True)
plt
.tight_layout
()
plt
.show
()
➤ ※ 结论
通过上面实际测量的MOS晶体管GS之间的电容随着DS的电压变化关系，整体上呈现降低的趋势。
但降低的比值不像数据手册给定那么明显。
遗留的问题：
原来手册中侧袋的Crss, Ciss的电容量是如何测量的呢？
■ 相关文献链接:
MOS管 IRF3710 LC100-A全功能型电感电容表,电感表，电容表，LC meter串口数据
