存储模块总结

ROM： Read Only Memory 掉电数据不丢 速度慢RAM： Random Access Memory 掉电丢数据 速度快SRAM： Static RAM 速度快 容量小 作为CPU的缓存 结构复杂，含有较多晶体管 加电情况下不用刷新不会丢数据DRAM：Dynamic RAM 速度较SRAM慢，容量大，作为内存使用，使用电容存储数据，需要定时刷新SDRAM：Synchronous DRAM 数据的读写需要时钟同步。由于工艺问题，SDRAM的容量较DRAM小，但读写速度较DRAM快，读写周期在10ns。SDRAM工作时，其读/写过程是与CPU时钟(PC机中是由北桥提供的)严格同步的。SRAM与DRAM对比：SRAM晶体管的占用面积比DRAM大，所以造价高；DRAM需要不断刷新来维持所存储的数据，SRAM则不需要；DRAM的存取时钟间隔长，而SRAM的速度快，时间短；DRAM的耗电低，SRAM耗电大。FLASH：结合了ROM和RAM的特性，不仅具备可擦写可编程功能（EEPROM），还不会断电丢失数据，同时还具备较高的读写速度。

以上各模块是根据存储介质的制作工艺区分的。

DDR：Double Data Rate。我们通常说的DDR，应该是DDR SDRAM，即双倍速率SDRAM，多指内存芯片。DDR是描述SDRAM支持的一种高性能读写策略，使用更高级的电路来实现双倍速率。普通SDRAM是在一个时钟内只能传输一次数据，而DDR SDRAM能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。

以上是关于存储芯片的描述

DIMM：Dual Inline Memory Modules，双列直插式存储模块，与SIMM相对应。DIMM实际上描述的是内存条的设计结构，DIMM上包含DDR存储芯片。DIMM内存条通过芯片的针脚连接至主板，针脚越多内存条的吞吐量越大。SO-DIMM：Small Outline DIMM，专为笔记本尺寸要求而设计。UDIMM：也称为Unbuffered DIMM。当数据从CPU传到每个内存颗粒时，UDIMM要求保证CPU到每个内存颗粒之间的数据传输距离相等，这样并行传输才会有效。这需要极高的制造工艺，极难做到高密度、高频率。因此UDIMM容量和频率都较低。不过，UDIMM由于在CPU和内存之间没有任何缓存，因此同频率下时延较小。RDIMM（最常用）：也称为Registered DIMM。为了保证并行传输的有效性，RDIMM在内存条上加了一个寄存器进行转发。它位于CPU和内存颗粒之间，这样就减少了并行传输的距离。同时由于寄存器效率很高，因此RDIMM的密度和频率就容易提高。LRDIMM：也称为Load Reduced DIMM。RDIMM虽然提高了传输有效性，但由于寄存器大小有限，当单条内存中内存颗粒以最高的密度4 Rank进行部署时，并行传输的有效性和频率就会大大下降。例如在使用32G RDIMM时，在服务器的每个内存通道上最多只能部署2条内存条，而且只能运行在800MHz。 LRDIMM内存通过将当前RDIMM内存上的Register芯片改为一种iMB（isolation Memory Buffer）内存隔离缓冲芯片来降低内存总线的负载，并相应地进一步提升内存支持容量。相比于通常的RDIMM，Dual-Rank LRDIMM内存的功耗只有其50%，Quad-Rank LRDIMM也能低到其75%。目前，典型的Nehalem-EP处理器可以支持3个内存通道，每个内存通道最多支持3个RDIMM，而改用LRDIMM内存之后，同样的系统可以每通道支持到9个DIMM，内存容量提升到原来的三倍。NV-DIMM：Non-volatile DIMM，是一种非易失性质的存储模块。与普通的DIMM最大的差别就是易失性质。比较有代表性的是Intel的Optane系列，非易失性是通过新型存储介质来实现的。